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存储新一轮强劲周期已至,Wedbush:部分产品价格涨幅或达150%
日期:2026-03-25 09:23  
鑫椤资讯
财联社3月24日消息,华尔街知名投行韦德布什(Wedbush)最新报告指出,人工智能基础设施建设带来的内存需求激增以及供应紧张,将推动部分内存产品价格涨幅超100%。分析师表示,DRAM与NAND存储价格正快速上涨,预计在2025年第四季度基础上,2026年上半年价格涨幅将达到"三位数"水平,其中DRAM价格涨幅有望达到130%至150%,NAND涨幅也接近这一水平,显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。
 
这对美光科技、希捷科技和西部数据等内存厂商而言是重大利好。美光公司上周公布的财报显示,2026财年第二财季营收增长近两倍达238.6亿美元,超出分析师预期;调整后每股收益为12.20美元,远超预期。对于第三财季,该公司预计营收约为335亿美元,较一年前的93亿美元飙升超过200%,预计调整后每股盈利约为19.15美元,同样远超分析师预期。供应紧张局面也影响到硬件生态系统的其它部分,由于需求持续超过供应,硬盘制造商可能会要求提高合同价格。
 
凭借强大的供应链关系,英伟达似乎已做好充分准备,能够确保其人工智能系统所需的零部件供应。英伟达首席执行官黄仁勋最近表示,预计英伟达的Blackwell和Rubin系统将获得约1万亿美元的订单。然而,并非所有科技市场领域都呈现出同样的强劲态势,业内人士对今年PC与手机市场的看法趋于悲观,目前行业反馈显示除苹果公司外,PC和手机出货量同比降幅可能高达20%。
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