当前位置: 首页 » 资讯 » 行业资讯 » 行业热点 » 正文

高性能石墨负极材料:中空碳微球

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-10-21  来源:锂粉制备技术  作者:鑫椤资讯
摘要:  石墨负极材料是目前锂离子电池最常用的负极材料,在锂离子电池充电的过程中,可与Li+反应生成LiC6的化合物,其理论比容量为372mAh/g,目前容量最高的石墨负极材料实际比容量为360mAh/g,已经接近理论容量,而...
  石墨负极材料是目前锂离子电池最常用的负极材料,在锂离子电池充电的过程中,可与Li+反应生成LiC6的化合物,其理论比容量为372mAh/g,目前容量最高的石墨负极材料实际比容量为360mAh/g,已经接近理论容量,而大多数石墨负极材料容量多为300mAh/g。
 
  随着锂离子电池比能量的逐步提高,传统的石墨负极材料,如天然石墨、人造石墨,已经无法满足高比能锂离子电池的需要,因此众多高容量负极材料被陆续开发出来,当然石墨材料也没有坐以待毙,多种改性技术被开发出来,其中最有效,也是最吸引关注的当属“氮掺杂石墨技术”和“介孔碳技术”,这两种改性方法在大幅提高石墨材料比容量的基础上,并未降低材料的循环性能,因此具有良好的应用前景。
 

 
  近日北京理工大学的Xinyang Yue等人基于介孔碳技术开发了一种微孔-介孔中空碳微球锂离子电池负极材料,该材料的比表面积高达396m2/g,该材料不仅具有高容量特性,并且具有良好的循环性能,在2.5A/g的电流密度下,循环1000次仍然保持530mAh/g的比容量。该材料的倍率性能也十分让人震惊,在60A/g的电流密度下(约为100C),该材料比容量仍然可达180mAh/g。
 
  研究中Xinyang Yue利用370nm硅微球作为模板,多巴胺作为碳源,PEO-PPO-PEO (P123)作为孔形成介质,在400℃下Ar保护焙烧3h,然后800℃下焙烧3h,最后利用20%的HF在中空碳微球的表面腐蚀出微孔,并除去材料中的硅模板。最后经过清洗和真空干燥后,就获得了微孔-介孔中空碳微球材料。
 
  在SEM照片中该材料为直径约为400nm均匀分散的微球,表面呈现出由于HF腐蚀所形成的微孔,TEM显微镜,则观察到了该材料的中空结构。电化学测试发现,该材料在0.5A/g的电流密度下,可以获得624mAh/g的电流密度,这要远高于石墨材料372mAh/g的理论比容量,额外的容量主要是由材料的缺陷产生的。但是该材料的不可逆容量较高,达到了1081mAh/g,这主要是由于材料巨大的比表面使得在形成SEI膜的过程中电解液分解较多,消耗较多Li造成的。
 

 
  虽然该材料的首次不可逆容量较高,但是该材料具有良好的循环性能。该材料的首次放电容量为646mAh/g,循环50次容量下降到502mAh/g,但是随后比容量开始回升,循环400次容量为563mAh/g,循环1000次容量仍可达500mAh/g以上。
 
  该材料表现最为亮眼的是倍率性能,在1 A/ g,2.5 A /g,5 A /g,10 A/ g,20 A /g,40 A/ g和60 A /g的电流密度下,该材料的比容量分别达到了495 mAh/g, 382 mAh/g,301.3 mAh/g,254.4 mAh/g,206.5 mAh/g,190.7 mAh/g和189.3 mAh/g,表现出了良好的倍率性能,非常适合应用在高功率锂离子电池上。
 
       目前该材料最大的问题是制备成本过高,振实密度偏低,难以商业化应用,而材料的首次不可逆容量过高的问题,可以通过负极补锂等技术进行解决。目前该方法还仅仅停留在实验室水平,还需要进一步研究,降低成本,提高材料的性能。 
 
关于我们:ICC鑫椤资讯成立于2010年,主要服务于炭素、锂电、电炉钢3大行业,是中国领先的专业产业研究和顾问公司。鑫椤资讯以研究为中心,提供媒体资讯、研究咨询、数据库和市场营销等解决方案。
鑫椤锂电专注于锂电池原材料、锂电池及其下游等相关产业链跟踪,对市场价格、行情动态等资讯的搜集与研究,常年跟踪行业内400多家生产企业,拥有完善的产业数据库。根据企业需求提供定制报告,为企业提供专业化服务。
鑫椤锂电以研究为中心,服务于行业企业、金融机构(一二级市场私募基金/券商/银行等)、高校/科研院所、政府等,为客户提供的独特洞见、分析和资源,帮助客户高效决策,以实现高质量的业务增长。

[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 

 
资讯浏览
市场报价
 
| 版权隐私 | 使用协议 | 网站服务 | 联系方式 | 网站招聘 | 关于我们
电话:021-50184981   电子邮箱:service@iccsino.com   地址:上海市浦东新区商城路506号新梅联合广场B座21楼D  邮编:200122  沪ICP备2022024271号-1